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利用STO或铌掺杂STO单晶作为沉积衬底，南瑞南京不仅薄膜制作成本昂贵，且很难通过标准的半导体工艺实现大面积或大规模制备。该研究工作得到了国家自然科学基金、控制广西自然科学基金杰出青年基金、控制广西百人计划、广西自然科学留学回国重点基金、广西大学相对论天体物理重点实验室、广西有色金属及特色加工国家重点实验室（培育）、中组部西部之光访问学者计划等的共同资助。

其主要设计思路为：系统在薄膜与电极之间上插入一层超薄的高阻层，如Al2O3等，通过其分担加在薄膜上的电压来实现薄膜介电击穿电场的提升。然而，有限这些高储能密度的无铅介电薄膜通常是生长在SrTiO3（STO）单晶衬底上或者铌掺杂STO单晶称底上。